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激光位移传感器库号：M415112激光位移传感器库号：M415112
测定⽅式 扩散反射
测定中⼼距离120mm
测定范围±60mm
光源 红⾊半导体激光级别1(JIS/IEC/GB/KS/FDALaserNoticeNo.50/GB)
⼤输出：0.39mW、投光峰波⻓：655nm
光束直径1.0×1.5mm
受光部 CMOS图像传感器
分辨率8μm
线性度±0.1%F.S.
温度特性±0.08%F.S./°C
电源电压24VDC±10%包括脉动0.5V(P-P)
电流消耗100mA以下
取样周期200μs、500μs、1ms、2ms
模拟输出
电压 输出范围：0〜10.5V(正常时)、11V(警告时)输出阻抗：100Ω
电流 输出范围：3.2〜20.8mA(正常时)、21.6mA(警告时)负载阻抗：300Ω以下
判断输出或警告输出(设定切换式)
NPN晶体管集电极开路/PNP晶体管集电极开路(切换式)
OUT1输出
OUT2输出
OUT3输出
＜PNP动作设定时＞
ZUI⼤流出电流：50mA
剩余电压：28V以下(当流出电流为50mA时)
漏电流：0.1mA以下
输出动作 ON(输出动作)时开路
短路保护 配备(⾃动恢复式)
NP切换输⼊ 0V连接时：NPN集电极开路输出动作
电源24VDC连接时：PNP集电极开路输出动作
定时输⼊ NPN动作设定时：连接OV时动作或者连接中动作(因设定⽽异)
PNP动作设定时：连接外部电源+时动作或者连接中动作(因设定⽽异)
多路输⼊ 根据输⼊时间进⾏调零、复位、内存切换、⽰教、保存、激光控制
NPN动作设定时：依据连接0V的时间
PNP动作设定时：依据连接外部电源+的时间
通信接⼝(⾼功能型) RS-422或RS-485或MODBUS-RTU
波特率：9,600/19,200/38,400/115,200bps
数据⻓8bit、结束位⻓1bit、奇偶校验⽆、BCC有、数据区分：CR
显示灯
激光投光 绿⾊发光⼆极管激光投光时亮起
警告 橙⾊发光⼆极管光量不⾜致使⽆法测定的状态
输出 ⻩⾊发光⼆极管(显⽰灯数：3)输出动作时亮起
数字显⽰部 红⾊发光⼆极管符号和5位显⽰
保护构造 IP67(除连接器部)
污损度 2
JUE缘电阻 DC250VMegger时20MΩ以上(所有端⼦-壳体之间)
耐电压 AC1,000V1分钟(所有端⼦-壳体之间)
耐振动 耐久频率：10〜55Hz(周期1分钟)双振幅：1.5mmX、Y、Z⽅向各2⼩时
耐冲击 500m/s²X、Y、Z⽅向各3次
周围照明度（注3）3,000ℓx以下(⽩炽灯时的受光⾯照明度)
周围温度 -10〜＋45°C(注意不可结露、结冰)存储时：−20〜＋60°C
周围湿度 35〜85%RH存储时：35〜85%RH
使⽤⾼度 2,000m以下
材质 本体外壳：PBT、前盖：丙烯、电缆：PVC
电缆 ⾼功能型：1.0m
电缆YAN⻓ ⾼功能型：⽤可选电缆(另售)全⻓可YAN⻓⾄20m
紧固扭矩 0.8N·m以下
重量
高功能型 约70g(不包括电缆)、约110g(包括电缆)、约160g(包装)
适用标准 EMC指令适⽤
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